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IRFPF50PBF
4.709
IRFPF50PBF 数据手册 (9 页)
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IRFPF50PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
900 V
额定电流
6.70 A
封装
TO-247-3
额定功率
190 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
6.70 A
上升时间
34 ns
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFPF50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPF50PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.16 MByte

IRFPF50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,900V,6.7A,1.6Ω@10V
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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