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2SB1260T100Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-89

描述:

2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源晶体管 - SC-62

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SB1260T100Q 数据手册 (8 页)

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2SB1260T100Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

SOT-89

极性

PNP, P-Channel

功耗

2000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

120 @100mA, 3V

最大电流放大倍数

390

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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2SB1260T100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

2.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SB1260T100Q 符合标准

2SB1260T100Q 海关信息

2SB1260T100Q 概述

2SB1260T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.38 MByte

2SB1260T100Q 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.93 MByte

2SB1260T100Q 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 180~390 -400mV SOT-89 代码 BER 高击穿电压

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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 120~270 -400mV SOT-89 代码 BEQ 高击穿电压

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