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IRFPS40N50LPBF
3.596
IRFPS40N50LPBF 数据手册 (8 页)
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IRFPS40N50LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
46.0 A
封装
TO-274
额定功率
540 W
极性
N-Channel
功耗
540 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
46.0 A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
8110pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
540 W
下降时间
69 ns

IRFPS40N50LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPS40N50LPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.18 MByte

IRFPS40N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS40N50LPBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 500 V, 0.087 ohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Precision Group
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.087ohm ,ID = 46A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A)
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