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IRFR024PBF
0.589
IRFR024PBF 数据手册 (11 页)
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IRFR024PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
42 W
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)

IRFR024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
2000

IRFR024PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 1.45 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 1.01 MByte

IRFR024 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
Vishay Intertechnology
Kersemi Electronic
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
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