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IRFR3709ZTR
0.139
IRFR3709ZTR 数据手册 (11 页)
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IRFR3709ZTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
86.0 A
封装
TO-252
极性
N-Channel
功耗
79.0 W
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
86.0 A
上升时间
12.0 ns

IRFR3709ZTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape

IRFR3709ZTR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.21 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.2 MByte

IRFR3709 数据手册

Infineon(英飞凌)
N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFR3709ZTRRPBF DPAK
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 30 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRFR3709ZPBF 管装
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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