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IRFR5410TRR
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IRFR5410TRR 数据手册 (11 页)
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IRFR5410TRR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-13.0 A
封装
TO-252-3
极性
P-CH
功耗
66W (Tc)
零部件系列
IRFR5410
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
13.0 A
上升时间
58.0 ns
输入电容值(Ciss)
760pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
66W (Tc)

IRFR5410TRR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFR5410TRR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte

IRFR5410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 100V 13A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR5410PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5410PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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