￥ 0.464

IRFR9024NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR9024NPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR9024NPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR9024NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

38 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.175 Ω

极性

P-Channel

功耗

38 W

阈值电压

4 V

输入电容

350 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

55 ns

反向恢复时间

47 ns

正向电压(Max)

1.6 V

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

38 W

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

38W (Tc)

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IRFR9024NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFR9024NPBF 符合标准

IRFR9024NPBF 概述