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IRFR9120NTRLPBF
0.809
IRFR9120NTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR9120NTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
39 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
480 mΩ
极性
P-Channel
功耗
40 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
6.6A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRFR9120NTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFR9120NTRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR9120 数据手册

VISHAY(威世)
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Harris
P沟道 100V 5.6A
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5.6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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