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IRFR9120PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

VISHAY IRFR9120PBF. 场效应管, MOSFET, P沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR9120PBF 数据手册 (12 页)

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IRFR9120PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.6 Ω

极性

P-Channel

功耗

42 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

-5.60 A

上升时间

29 ns

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IRFR9120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFR9120PBF 符合标准

IRFR9120PBF 海关信息

IRFR9120PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

12 页 / 1.06 MByte

IRFR9120PBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

11 页 / 1.05 MByte

IRFR9120PBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.09 MByte

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