IRFS38N20DPBF

￥ 1.882

IRFS38N20DPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRFS38N20DPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 44A, D2-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFS38N20DPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFS38N20DPBF 数据手册 (11 页)

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IRFS38N20DPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

38.0 A

封装

TO-252-3

额定功率

320 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.054 Ω

极性

N-Channel

功耗

320 W

零部件系列

IRFS38N20D

阈值电压

5 V

输入电容

2.90 nF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

44.0 A

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

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IRFS38N20DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

6.22 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFS38N20DPBF 符合标准

IRFS38N20DPBF 概述

IRFS38N20DPBF 数据手册

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IRFS38N20DPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

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IRFS38N20DPBF 其他数据使用手册

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30 页 / 0.64 MByte

IRFS38N20DPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

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IRFS38N20DPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

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IRFS38N20DPBF 产品修订记录

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