Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRL60S216 Datasheet 文档
IRL60S216
1.155
IRL60S216 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRL60S216 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0016 Ω
极性
N-CH
功耗
375 W
阈值电压
2.4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
298A
上升时间
180 ns
输入电容值(Ciss)
15330pF @25V(Vds)
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375 W

IRL60S216 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
11.33 mm
宽度
10.67 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL60S216 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.69 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRL60 数据手册

Infineon(英飞凌)
IRL60S216 系列 60 V 298 A 1.95 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - D2PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL60B216  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 60 V, 0.0133 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N沟道 60V 324A
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z