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IRFS4115TRLPBF
0.985
IRFS4115TRLPBF 数据手册 (9 页)
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IRFS4115TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0103 Ω
极性
N-Channel
功耗
375 W
阈值电压
5 V
输入电容
5270 pF
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
195A
上升时间
73 ns
输入电容值(Ciss)
5270pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375W (Tc)

IRFS4115TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
11.3 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS4115TRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.07 MByte

IRFS4115 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0103 ohm, 20 V, 5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4115-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 150 V, 0.01 ohm, 20 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,150V,99A,12.1mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 105 A, 150 V, 0.01 ohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 150V 105A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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