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IRFS4127PBF
2.557
IRFS4127PBF 数据手册 (10 页)
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IRFS4127PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
375 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0186 Ω
极性
N-Channel
功耗
375 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
72A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
5380pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375W (Tc)

IRFS4127PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
6.22 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS4127PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.09 MByte

IRFS4127 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
200V,22mΩ,72A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 200V 72A
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