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IR25606SPBF
器件3D模型
0.488
IR25606SPBF 数据手册 (11 页)
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IR25606SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
150ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电压
10.20 V
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR25606SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR25606SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR25606 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR25606SPBF  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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