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IRFSL3206PBF
1.031
IRFSL3206PBF 数据手册 (12 页)
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IRFSL3206PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
额定功率
300 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
2.4 mΩ
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
210A
上升时间
82 ns
输入电容值(Ciss)
6540pF @50V(Vds)
下降时间
83 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRFSL3206PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFSL3206PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRFSL3206 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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