￥ 0.173

IRFU5410PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

INFINEON IRFU5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFU5410PBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFU5410PBF 数据手册 (11 页)

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IRFU5410PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

额定功率

66 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.205 Ω

极性

P-Channel

功耗

66 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

760pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

66 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

66W (Tc)

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IRFU5410PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

2.39 mm

高度

6.22 mm

脚长度

9.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFU5410PBF 符合标准

IRFU5410PBF 概述

IRFU5410PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.26 MByte

IRFU5410PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFU5410PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.26 MByte

IRFU5410PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFU5410PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFU5410PBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.205ohm ，ID = -13A ） Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

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INFINEON IRFU5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V

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P沟道,-100V,-13A,205mΩ@-10V

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