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IRFU5505PBF
0.698
IRFU5505PBF 数据手册 (10 页)
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IRFU5505PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
额定功率
57 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
P-Channel
功耗
57 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
18A
上升时间
28 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
57W (Tc)

IRFU5505PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFU5505PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.36 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRFU5505 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.11ohm ,ID = -18A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFU5505PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 18 A, -55 V, 110 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
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