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IRFU9024N
0.603
IRFU9024N 数据手册 (11 页)
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IRFU9024N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.60 A
封装
TO-251-3
极性
P-CH
功耗
38W (Tc)
零部件系列
IRFU9024N
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
55.0 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
38W (Tc)

IRFU9024N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFU9024N 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.31 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFU9024 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFU9024NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFU9024NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 11A, IPAKS 新
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