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IRFZ10PBF
0.603
IRFZ10PBF 数据手册 (8 页)
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IRFZ10PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
200 mΩ
功耗
43 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRFZ10PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFZ10PBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.35 MByte

IRFZ10 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFZ10PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10A
Vishay Siliconix
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