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IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

场效应管(MOSFET) IRFZ34NSTRRPBF D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

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IRFZ34NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

68 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

40 mΩ

极性

N-CH

功耗

3.8 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

29A

上升时间

49 ns

反向恢复时间

57 ns

正向电压(Max)

1.6 V

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 175℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

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IRFZ34NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFZ34NSTRRPBF 符合标准

IRFZ34NSTRRPBF 概述

IRFZ34NSTRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.16 MByte

IRFZ34NSTRRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFZ34NSTRRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFZ34NSTRRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFZ34NSTRRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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