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IRG8P60N120KDPBF
4.406
IRG8P60N120KDPBF 数据手册 (11 页)
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IRG8P60N120KDPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
420 W
针脚数
3 Position
功耗
420 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
210 ns
额定功率(Max)
420 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
420 W

IRG8P60N120KDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRG8P60N120KDPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.67 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.23 MByte

IRG8P60N120 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG8P60N120KDPBF  单晶体管, IGBT, N通道, 100 A, 1.7 V, 420 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚 新
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
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