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IXTH200N10T
1.25
IXTH200N10T 数据手册 (6 页)
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IXTH200N10T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
550W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
31 ns
输入电容值(Ciss)
9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
550 W
下降时间
34 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
550W (Tc)

IXTH200N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXTH200N10T 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.16 MByte

IXTH200N10 数据手册

IXYS Semiconductor
N沟道 100V 200A
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