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IRGP4063DPBF
4.702
IRGP4063DPBF 数据手册 (11 页)
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IRGP4063DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
300 V
额定电流
96.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
330 W
零部件系列
IRGP4063D
栅电荷
140 nC
漏源极电压(Vds)
300 V
连续漏极电流(Ids)
96.0 A
上升时间
56 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
115 ns
额定功率(Max)
330 W
下降时间
46 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃

IRGP4063DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRGP4063DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.33 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.26 MByte

IRGP4063 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRGP4063DPBF  单晶体管, IGBT, 96 A, 2.14 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRGP4063PBF  单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGP4063DPBF  晶体管, IGBT, 600V, 96A
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier IRGP4063D1-EPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3针 TO-247AD封装
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