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IRL3103LPBF
0.343
IRL3103LPBF 数据手册 (11 页)
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IRL3103LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
额定功率
110 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
16 mΩ
极性
N-CH
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
64A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
1650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
94 W
下降时间
9.1 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
94W (Tc)

IRL3103LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
9.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL3103LPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.27 MByte

IRL3103 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDDS = 30V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 64A ) Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3103PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30 V 94 W 33 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRL3103PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 64A TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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