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IRL3803STRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道 30 V 3.8 W 140 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRL3803STRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRL3803STRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRL3803STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

200 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.006 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.8 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

140A

上升时间

230 ns

输入电容值(Ciss)

5000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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IRL3803STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRL3803STRLPBF 符合标准

IRL3803STRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.38 MByte

IRL3803STRLPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRL3803STRLPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRL3803STRLPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRL3803STRLPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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IRF

功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.006ohm ，ID = 140A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)

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INFINEON IRL3803PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V

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INFINEON IRL3803VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 30 V, 5.5 mohm, 10 V, 1 V

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