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IRL620A
0.33
IRL620A 数据手册 (8 页)
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IRL620A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
800 mΩ
极性
N-Channel
功耗
39 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
6 ns
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

IRL620A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

IRL620A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.23 MByte

IRL620 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = 5.2A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V 新
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