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IRL620S
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IRL620S 数据手册 (8 页)
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IRL620S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
200 V
额定电流
5.20 A
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200V (min)
连续漏极电流(Ids)
5.20 A
上升时间
31.0 ns

IRL620S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.28 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.32 MByte

IRL620 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = 5.2A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V 新
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