IRL640

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IRL640 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

N沟道MOS管

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRL640 数据手册 (9 页)

或点击图片查看大图

IRL640 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

17.0 A

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V (max)

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

83.0 ns

IRL640 符合标准

IRL640 数据手册

IRL640 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.73 MByte

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