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IRLD110PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLD110PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRLD110PBF 数据手册 (9 页)

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IRLD110PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

DIP-4

功耗

1300 mW

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

250pF @25V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

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IRLD110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLD110PBF 符合标准

IRLD110PBF 概述

IRLD110PBF 数据手册

Vishay Siliconix

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