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IRFRC20TRLPBF
1.456
IRFRC20TRLPBF 数据手册 (12 页)
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IRFRC20TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
4.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

IRFRC20TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRFRC20TRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
12 页 / 1.11 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 1.08 MByte

IRFRC20 数据手册

VISHAY(威世)
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Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Kersemi Electronic
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V
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