IRLHS6376TRPBF

器件3D模型

￥ 0.171

IRLHS6376TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PQFN-6

描述:

INFINEON IRLHS6376TRPBF. 场效应管阵列, MOSFET, 双N沟道, 30V, 3.6A, PQFN-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLHS6376TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLHS6376TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRLHS6376TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

PQFN-6

额定功率

1.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.048 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.5 W

零部件系列

IRLHS6376

阈值电压

800 mV

输入电容

270 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.6A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

270pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

9.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6.6 W

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IRLHS6376TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.1 mm

宽度

2.1 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRLHS6376TRPBF 符合标准

IRLHS6376TRPBF 概述

IRLHS6376TRPBF 数据手册

IRLHS6376TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.28 MByte

IRLHS6376TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLHS6376TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLHS6376TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLHS6376TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLHS6376TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRLHS6376 数据手册

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International Rectifier（国际整流器）

IRLHS6376TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLHS6376TR2PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 30 V, 48 mohm, 4.5 V, 800 mV

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