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IPW60R045CP
15.691
IPW60R045CP 数据手册 (10 页)
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IPW60R045CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
431 W
阈值电压
3 V
输入电容
6.80 nF
栅电荷
190 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
6800pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
431 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
431W (Tc)

IPW60R045CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPW60R045CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IPW60R045 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CPFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 60A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CS  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 40 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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