￥ 0.273

IRLL024ZTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLL024ZTRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRLL024ZTRPBF 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRLL024ZTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.048 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.8 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

查看数据手册 >

IRLL024ZTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRLL024ZTRPBF 符合标准

IRLL024ZTRPBF 海关信息

IRLL024ZTRPBF 概述

IRLL024ZTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.25 MByte

IRLL024ZTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLL024ZTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLL024ZTRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRLL024 数据手册

IRLL024NTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V

IRLL024NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLL024ZTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V

IRLL024ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLL024ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 3 V

IRLL024NPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新

IRLL024NTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLL024ZPBF 数据手册