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IXFH170N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH170N10P 数据手册 (5 页)

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IXFH170N10P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.009 Ω

极性

N-Channel

功耗

714 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

170 A

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

715W (Tc)

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IXFH170N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFH170N10P 符合标准

IXFH170N10P 概述

IXFH170N10P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

IXFH170N10P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.24 MByte

IXFH170N10 数据手册

IXFH170N10P 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V

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