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IRLML0030TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRLML0030TRPBF数据手册
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IRLML0030TRPbF
www.irf.com 3
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
DS
= 15V
≤
60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d
)
I
D
= 5.2A
V
GS
= 10V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VGS
TOP 10.0V
8.00V
4.50V
3.50V
3.25V
3.00V
2.50V
BOTTOM 2.25V
≤
60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C
2.25V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
2.25V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP 10.0V
8.00V
4.50V
3.50V
3.25V
3.00V
2.50V
BOTTOM 2.25V
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