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IRLML0060TRPBF
器件3D模型
0.32
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IRLML0060TRPBF数据手册
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IRLML0060TRPbF
www.irf.com 5
Fig 11. Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V
DS
Pulse Width µs
Duty Factor 
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
V
GS
+
-
V
DD
25 50 75 100 125 150
T
A
, Ambient Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
D
,
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
A
)
°
C
/
W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T
A

IRLML0060TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.19 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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IRLML0060 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
60V,92mΩ,2.7A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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