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IRLML5103TR
0.33
IRLML5103TR 数据手册 (8 页)
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IRLML5103TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
540mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
0.76A
上升时间
8.2 ns
输入电容值(Ciss)
75pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540mW (Ta)

IRLML5103TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML5103TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.18 MByte

IRLML5103 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5103TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5103PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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