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IRLML5203TRPBF
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IRLML5203TRPBF数据手册
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4 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 28, 2014
IRLML5203PbF
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0 4 8 12 16
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
G
GS
I =
D
-3.0A
V =-15V
DS
V =-24V
DS
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-I , Reverse Drain Current (A)
SD
SD
V = 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-I , Drain Current (A)I , Drain Current (A)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
1 10 100
0
200
400
600
800
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C, Capacitance (pF)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
f = 1MHz
+ C
+ C
C SHORTED
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss

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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5203  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V ) Power MOSFET(Vdss=-30V)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML5203TR P沟道MOS场效应管 -3A 0.098ohm SOT-23 marking/标记 HC 动态额定雪崩 快速开关
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5203PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V
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