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IRLML6344TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRLML6344TRPBF数据手册
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HEXFET
®
Power MOSFET
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Application(s)
Micro3
TM
(SOT-23)
IRLML6344TRPbF
D
S
G
3
1
2
• Load/ System Switch
Features and Benefits
Benefits
V
DS
30 V
V
GS Max
± 12 V
R
DS(on) max
(@V
GS
= 4.5V)
29
mΩ
R
DS(on) max
(@V
GS
= 2.5V)
37
mΩ
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Units
V
DS
Drain-Source Voltage
V
I
D
@ T
A
= 25°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
W/°C
V
GS
Gate-to-Source Voltage V
T
J,
T
STG
Junction and Storage Temperature Range °C
Thermal Resistance
Symbol Parameter Typ. Max. Units
R
θ
JA
Junction-to-Ambient
e
––– 100
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (t<10s)
f
––– 99
W
°C/W
A
Max.
5.0
4.0
-55 to + 150
± 12
0.01
30
1.3
0.8
25
Low R
DSon
(<29m
Ω
)
Lower Conduction Losses
Industry-standard SOT-23 Package Multi-vendor compatibility
RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen
results in Environmentally friendly
MSL1, Consumer Qualification Increased Reliability
IRLML6344TRPbF
1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback December 19, 2014
Form Quantity
IRLML6344TRPbF
Mic r o3
™
(SOT-23)
Tape and Reel
3000
IRLML6344TRPbF
Base Part Number
Package Type
Standard Pack
Orderable Part Number
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