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IRLML6401TR
0.063
IRLML6401TR 数据手册 (9 页)
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IRLML6401TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-12.0 V
额定电流
-4.30 A
封装
SOT-23
功耗
1.3 W
零部件系列
IRLML6401
漏源极电压(Vds)
12.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.30 A
上升时间
32.0 ns

IRLML6401TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRLML6401TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.13 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.13 MByte

IRLML6401 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier(国际整流器)
-4.3A,-12V,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6401PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier(国际整流器)
IRLML6401TR P沟道MOS场效应管 -430mA 0.050ohm SOT-23 marking/标记 F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 超低导通电阻 薄型封装
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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