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IRLML6402TR
0.038
IRLML6402TR 数据手册 (8 页)
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IRLML6402TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
1300 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.7A
上升时间
48 ns
输入电容值(Ciss)
633pF @10V(Vds)
下降时间
381 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

IRLML6402TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML6402TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.13 MByte

IRLML6402 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6402TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
International Rectifier(国际整流器)
IRLML6402GTRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
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