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IRS2153DSPBF
器件3D模型
1.349
IRS2153DSPBF 数据手册 (14 页)
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IRS2153DSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
625 mW
上升/下降时间
120ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电压
600 V
输出电流
180.260 mA
通道数
2 Channel
功耗
625 mW
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 15.4V

IRS2153DSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

IRS2153DSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2153 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2153DPBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 自-OSC, 10.1V-16.8V电源, 0.26A输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21531DSPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21531DPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
PWM(脉冲宽度调制)- FF(固定频率)IC,Infineon### 交流-直流功率转换,Infineon
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
600V,自激振荡的半桥式驱动IC
International Rectifier(国际整流器)
600V,自激振荡的半桥式驱动IC
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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