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IRLR024NTRPBF
0.134
IRLR024NTRPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR024NTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
38 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.065 Ω
极性
N-CH
功耗
45 W
阈值电压
2 V
输入电容
480 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
74 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

IRLR024NTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR024NTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRLR024 数据手册

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VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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