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IRLR120NPBF
0.1
IRLR120NPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR120NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
39 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.185 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
2 V
输入电容
440pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
440pF @25V(Vds)
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRLR120NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR120NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLR120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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