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UMD12NTR
0.023
UMD12NTR 数据手册 (10 页)
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UMD12NTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
30.0 mA
封装
SOT-363-6
额定功率
0.15 W
通道数
2 Channel
极性
NPN, PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
68 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
68
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

UMD12NTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

UMD12NTR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 0.12 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.53 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

UMD12 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMD12 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记D12 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363
CJ(长电科技)
双数字晶体管 UMD12N D12 SOT-363
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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