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IRLR3110ZTRRPBF
0.72
IRLR3110ZTRRPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR3110ZTRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
DPAK
漏源极电阻
14 mΩ
功耗
140 W
输入电容
3980pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
3980pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLR3110ZTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
高度
2.26 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLR3110ZTRRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.3 MByte

IRLR3110 数据手册

Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3110ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V
Infineon(英飞凌)
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRLR3110ZTRRPBF DPAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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