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IRLR3410TRPBF
0.211
IRLR3410TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR3410TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
52 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.105 Ω
极性
N-CH
功耗
79 W
阈值电压
2 V
输入电容
800 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
53 ns
输入电容值(Ciss)
800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
79 W
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
79W (Tc)

IRLR3410TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR3410TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRLR3410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR3410TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 105 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRLR3410TRRPBF DPAK
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR3410PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, D-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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