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IRLR7833PBF
0.244
IRLR7833PBF 数据手册 (11 页)
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IRLR7833PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
140 W
极性
N-Channel
功耗
140W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
140A
上升时间
6.9 ns
输入电容值(Ciss)
4010pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRLR7833PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR7833PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.47 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLR7833 数据手册

Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 140A
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 140A
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
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