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IRLR7843PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRLR7843PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLR7843PBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRLR7843PBF 数据手册 (11 页)

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IRLR7843PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

140 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0033 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

2.3 V

输入电容

4380pF @15V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

161A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

4380pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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IRLR7843PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR7843PBF 符合标准

IRLR7843PBF 概述

IRLR7843PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.35 MByte

IRLR7843PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR7843PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLR7843PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR7843PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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