器件3D模型

￥ 1.69

CSD18531Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-8

描述:

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18531Q5AT 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18531Q5AT 数据手册 (13 页)

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CSD18531Q5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-8

极性

N-Channel

功耗

3.8 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

7.8 ns

输入电容值(Ciss)

3840pF @30V(Vds)

下降时间

2.7 ns

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 156W (Tc)

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CSD18531Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18531Q5AT 符合标准

CSD18531Q5AT 概述

CSD18531Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.34 MByte

CSD18531Q5AT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.36 MByte

CSD18531Q5 数据手册

CSD18531Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V

CSD18531Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

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